12月30日，总投资240亿美元的国家存储器基地项目在武汉东湖高新区未来科技城正式开工建设。2020年全面建成后，年产值将超过100亿美元，实现我国集成电路存储芯片产业规模化发展“零”的突破。
国家存储器基地项目于2016年3月落地，经过了近一年的筹备调整。该项目以芯片制造环节为突破口，集存储器产品设计、技术研发、晶圆生产与测试、销售于一体，建成后，还将带动设计、封装、制造、应用等芯片产业相关环节的发展。
如果说2D闪存是建平房，3DNAND存储就是盖楼房，现在国际主流产品已经“盖”到48层，未来有可能到96层、128层，存储容量大幅提升。存储器是信息系统的基础核心芯片，最能代表集成电路产业规模经济效益和先进制造工艺，同时也是我国进口金额最大的集成电路产品。
资料显示，存储器芯片市场是全球垄断最为严重的芯片细分市场，DRAM和NANDFLASH芯片市场长期被韩国美日垄断，尤其以韩国三星、SKHynix两家为首，共占据了DRAM市场和NANDFLASH市场70%和50%的市场份额。中国于2013年发布了自主研发的55纳米相变存储芯片，成为继美国和韩国后，全球第三个掌握相变存储技术的国家。
紫光集团董事长兼长江存储公司董事长赵伟国表示：“集成电路是信息技术产业的核心，保障着国家信息安全，其中存储器约占集成电路产业的25%。这个项目对中国科技事业的意义，不亚于‘辽宁号’航空母舰出海试航。”
据了解，基地由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资建设，主要研发生产以3DNAND技术为核心的存储器芯片。该基地占地1968亩，分为三期建设，项目一期计划2018年建成投产，月产晶圆硅片10万片，相当于8.5亿颗芯片。2020年完成整个项目后，总产能将达到30万片/月，年产值将超过100亿美元，形成设计、测试、封装、制造、应用等上下游集群。
未来几年，在武汉光谷东这片高科技公司云集的土地上，将建起3座全球单体洁净面积最大的3DNANDFlashFAB厂房、1座总部研发大楼及其他配套设施。其核心生产厂房和设备，每平方米投资强度超过3万美元。这是新中国成立以来湖北省最大单体投资高科技产业项目，也是我国集成电路产业有史以来最大单体投资项目。
总体而言，芯片国产化是我国在信息安全自主可控政策的实践领域之一，作为信息技术的基础产业，半导体集成电路持续受到了国家政策的扶持。而存储器是集成电路产业的基础产品之一，产品的成熟度和产业的规模效应均较为显著，国家存储器基地的建立，标志着芯片国产化之路迈出可靠而重要的一步。
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